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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ST7LITE19F1M6 |
| 英文描述： | ST7LITE1 - 8-BIT MCU WITH SINGLE VOLTAGE FLASH MEMORY.DATA EEPROM. ADC. 4 TIMERS. SPI |
| 中文描述： | ST7LITE1 - 8單電壓閃存EEPROM的MEMORY.DATA位MCU。 ADC的。 4定時(shí)器。的SPI |
| 文件頁數(shù)： | 89/122頁 |
| 文件大?。?/td> | 1716K |
| 代理商： | ST7LITE19F1M6 |
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ST7LITE0, ST7SUPERLITE
89/122
13.6 MEMORY CHARACTERISTICS
T
A
= -40°C to 125°C, unless otherwise specified
13.6.1 RAM and Hardware Registers
13.6.2 FLASH Program Memory
13.6.3 EEPROM Data Memory
Notes:
1. Minimum V
supply voltage without losing data stored in RAM (in HALT mode or under RESET) or in hardware reg-
isters (only in HALT mode). Guaranteed by construction, not tested in production.
2. Up to 32 bytes can be programmed at a time.
3.
The data retention time increases when the T
A
decreases.
4. Data based on reliability test results and monitored in production.
5. Data based on characterization results, not tested in production.
6. Guaranteed by Design. Not tested in production.
7. Design target value pending full product characterization.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
RM
Data retention mode
1)
HALT mode (or RESET)
1.6
V
Symbol
V
DD
Parameter
Conditions
Min
2.4
Typ
Max
5.5
10
0.48
Unit
V
ms
s
years
cycles
Operating voltage for Flash write/erase
Programming time for 1~32 bytes
2)
Programming time for 1.5 kBytes
Data retention
4)
Write erase cycles
t
prog
T
A
=
40 to +85°C
T
A
=
+25°C
T
A
=
+55°C
3)
T
A
=
+25°C
Read / Write / Erase
modes
f
CPU
= 8MHz, V
DD
= 5.5V
No Read/No Write Mode
Power down mode / HALT
5
0.24
t
RET
N
RW
20
10K
7)
I
DD
Supply current
2.6
6)
mA
100
0.1
μ
A
μ
A
0
Symbol
t
prog
t
ret
N
RW
Parameter
Conditions
Min
Typ
5
Max
10
Unit
ms
years
cycles
Programming time for 1~32 bytes
Data retention
4)
Write erase cycles
T
A
=
40 to +85°C
T
A
=+55°C
3)
T
A
=
+25°C
20
300K
7)
1
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