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參數(shù)資料
| 型號： | ST10F273M-4Q3 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 64 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| 封裝： | 28 X 28 MM, 3.40 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, QFP-144 |
| 文件頁數(shù)： | 97/182頁 |
| 文件大?。?/td> | 3222K |
| 代理商： | ST10F273M-4Q3 |
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ST10F273M
Memory organization
21/182
4
Memory organization
The memory space of the ST10F273M is configured in a unified memory architecture. Code
memory, data memory, registers and I/O ports are organized within the same linear address
space of 16 Mbytes. The entire memory space can be accessed Bytewise or Wordwise.
Particular portions of the on-chip memory have additionally been made directly bit
addressable.
IFlash: 512 Kbytes of on-chip Flash memory implemented as a unique Bank (Bank0).
Bank0 is divided in 12 blocks (B0F0...B0F11).
Note:
Read-while-write operations are not allowed: Write commands must be executed from a non
IFlash memory area (on-chip RAM or external memory).
When Bootstrap mode is selected, the Test-Flash Block B0TF (4 Kbytes) appears at
address 00’0000h: Refer to the device User Manual for more details on the memory
mapping in Bootstrap mode. The summary of address range for IFlash is the following:
Note:
A single Flash bank is implemented on the ST10F273M compared to the ST10F273E. The
last two sectors (B0F10 and B0F11) can be seen as the Bank1 of the ST10F273E in order
to maintain the compatibility with the existing Flash programming drivers. For this, the
control and status bit of the blocks B0F10 and B0F11 have been duplicated to be usable as
blocks B1F0 and B1F1 of the ST10F273E.
XFLASH / Flash Control Registers: Address range 0E’0000h-0E’FFFFh is reserved for
the Flash Control Register and other internal service memory space used by the Flash
Program/Erase Controller. XFLASHEN bit in XPERCON register must be set to access the
Flash Control Register. Note that when Flash Control Registers are not accessible, no
program/erase operations are possible. The Flash Control Registers are accessed in 16-bit
demultiplexed bus-mode without read/write delay. Byte and word accesses are allowed.
Table 2.
Summary of IFlash address range
Blocks
User mode
Size (bytes)
B0TF
Not visible
4 K
B0F0
00’0000h - 00’1FFFh
8 K
B0F1
00’2000h - 00’3FFFh
8 K
B0F2
00’4000h - 00’5FFFh
8 K
B0F3
00’6000h - 00’7FFFh
8 K
B0F4
01’8000h - 01’FFFFh
32 K
B0F5
02’0000h - 02’FFFFh
64 K
B0F6
03’0000h - 03’FFFFh
64 K
B0F7
04’0000h - 04’FFFFh
64 K
B0F8
05’0000h - 05’FFFFh
64 K
B0F9
06’0000h - 06’FFFFh
64 K
B1F0 / B0F10 (1)
07’0000h - 07’FFFFh
64 K
B1F1 / B0F11 (1)
08’0000h - 08’FFFFh
64 K
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| ST10F273M-4T3 | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit MCU 512 Kbyte Flash memory 36 Kbyt RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| ST10F273M-4TR3 | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit MCU 512 Kbyte Flash memory 36 Kbyt RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
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