參數(shù)資料
型號： SPC563M64L5COAY
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 80 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144
封裝： 20 X 20 MM, LEAD FREE, LQFP-144
文件頁數(shù)： 116/140頁
文件大?。?/td> 1310K
代理商： SPC563M64L5COAY
Electrical characteristics
SPC563M64
Doc ID 14642 Rev 6
3.4
EMI (Electromagnetic Interference) characteristics
3.5
Electromagnetic static discharge (ESD) characteristics
Table 14.
EMI testing specifications(1)
1.
EMI testing and I/O port waveforms per SAE J1752/3 issued 1995-03.
Symbol
Parameter
Conditions
fOSC/fBUS
Frequency
Level
(Max)
Unit
Radiated
emissions,
electric field
VRE_TEM
VDDREG =5.25V;
TA =+25 °C
150 kHz – 30 MHz
RBW 9 kHz, Step
Size 5kHz
30 MHz – 1 GHz –
RBW 120 kHz,
Step Size 80 kHz
16 MHz crystal
40 MHz bus
No PLL frequency
modulation
150 kHz – 50
MHz
20
dB
μV
50 – 150 MHz
20
150 – 500 MHz
26
500 – 1000 MHz
26
IEC Level
K
—
SAE Level
3
—
16 MHz crystal
40 MHz bus
+/-2% PLL
frequency
modulation
150 kHz– 50
MHz
13
dB
μV
50 – 150 MHz
13
150 – 500 MHz
11
500 – 1000 MHz
13
IEC Level
L
—
SAE Level
2
—
Table 15.
ESD ratings(1),(2)
1.
All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q100 Stress Test Qualification for Automotive Grade Integrated Circuits.
2.
Device failure is defined as: “If after exposure to ESD pulses, the device does not meet the device specification
requirements, which includes the complete DC parametric and functional testing at room temperature and hot
temperature.”
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Unit
—
SR
ESD for Human Body Model (HBM)
—
2000
V
R1
SR
HBM circuit description
—1500
Ω
C
SR
—
100
pF
—SR
ESD for field induced charge Model
(FCDM)
All pins
500
V
Corner pins
750
—
SR
Number of pulses per pin
Positive pulses (HBM)
1
—
Negative pulses (HBM)
1
—
SR
Number of pulses
—
1
—
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PDF描述
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SPL2Y98 975 nm, LASER DIODE
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參數(shù)描述
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