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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL256N10FAI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 80/95頁 |
| 文件大?。?/td> | 3781K |
| 代理商： | S29GL256N10FAI010 |
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May 30, 2008 S29GL-N_00_B8
S29GL-N
81
Data
She e t
16. Erase And Programming Performance
Notes
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0 V VCC, 10,000 cycles, checkerboard pattern.
2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 3.0 V, 100,000 cycles.
3. Effective write buffer specification is based upon a 16-word write buffer operation.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program command. See Table 9.1
on page 60 and Table 9.3 on page 62 for further information on command definitions.
17. TSOP Pin and BGA Package Capacitance
Notes
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
Parameter
Typ
Max
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 4)
Chip Erase Time
S29GL128N
64
256
sec
S29GL256N
128
512
S29GL512N
256
1024
Total Write Buffer Programming Time (Note 3)
240
s
Excludes system level
overhead (Note 5)
Total Accelerated Effective Write Buffer Programming
Time (Note 3)
200
s
Chip Program Time
S29GL128N
123
sec
S29GL256N
246
S29GL512N
492
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
TSOP
6
7.5
pF
BGA
4.2
5.0
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
TSOP
8.5
12
pF
BGA
5.4
6.5
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VIN = 0
TSOP
7.5
9
pF
BGA
3.9
4.7
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256N10FFI010 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FAI010 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FFI010 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FFI013 | MirrorBit Flash Family |
| S29JL032H90TAI223 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL256N10FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 256MB SMD 29LV256 |
| S29GL256N10FFI012 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL256N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 256MB SMD 29LV256 |
| S29GL256N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
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