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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RFP30P06 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 30 A, 60 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | RFP30P06 |
4-131
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -2V
Q
g(-10)
V
GS
= -10V
Q
g(TOT)
V
GS
= -20V
V
DS
-V
GS
I
G(REF)
0
0
RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFG30P05 | 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
| RF1S30P06 | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| RF1S30P06SM | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
| RFG30P06 | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
| RF1S40N10LESM | 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFP-375375-6X50-2 | 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Chip Terminations 300 Watts, 50ohm |
| RFP-375375-6Z50-2 | 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Surface Mount Terminations 30 Watts, 50ohm |
| RFP-375375N6X50-2 | 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Aluminum Nitride Terminations |
| RFP-375375N6Z50-2 | 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Aluminum Nitride Terminations |
| RFP3N45 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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