參數(shù)資料
型號(hào)： RF1S30P06
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
中文描述： 30 A, 60 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： RF1S30P06
4-139
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT RFP30P06 2 1 3;
REV 8/21/94
CA 12 8 3.23e-9
CB 15 14 3.23e-9
CIN 6 8 3.08e-9
DBODY 5 7 DBDMOD
DBREAK 7 11 DBKMOD
DPLCAP 10 6 DPLCAPMOD
EBREAK 5 11 17 18 -77.3
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 5 10 8 6 1
EVTO 20 6 8 18 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 4.92e-9
LSOURCE 3 7 4.60e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M=0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M=0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 39.85e-3
RGATE 9 20 2.34
RIN 6 8 1e9
RSCL1 5 51 RSCLMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 2.56e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 -0.81
ESCL 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/114,5))}
.MODEL DBDMOD D (IS=4.7e-13 RS=1.31e-2 TRS1=1.39e-4 TRS2=-4.77e-6 CJO=2.85e-9 TT=8.81e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS=2.23e-1 TRS1=1.97e-3 TRS2=-2.37e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=0.78e-9 IS=1e-30 N=10)
.MODEL MOSMOD PMOS (VTO=-3.75 KP=10.83 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1=9.08e-4 TC2=-1.72e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1=5.01e-3 TC2=1.02e-5)
.MODEL RSCLMOD RES (TC1=2.09e-3 TC2=5.88e-7)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1=-2.99e-3 TC2=1.40e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=3.4 VOFF=1.4)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=1.4 VOFF=3.4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=1.2 VOFF=-3.8)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3.8 VOFF=1.2)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model consult
A New PSPICE Sub-circuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature
Options
; authors, William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
1
GATE
LGATE RGATE
EVTO
+
18
8
12
13
8
14
13
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
RIN
CIN
MOS1
MOS2
DBREAK
EBREAK
DBODY
LDRAIN
DRAIN
RSOURCE
LSOURCE
SOURCE
RBREAK
RVTO
VBAT
+
IT
VTO
ESG
DPLCAP
6
8
6
10
5
16
21
11
8
14
7
3
17
18
19
2
+
+
+
+
+
20
RDRAIN
ESCL
50
RSCL1
51
RSCL2
+
9
-
-
5
51
-
17
18
-
6
8
6
8
-
-
RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S30P06SM 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RFG30P06 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RF1S40N10LESM 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP40N10LE 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S30P06SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S30P06SM9A 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S40N10LESM 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
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