參數(shù)資料
型號(hào)： RF1S30P06
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
中文描述： 30 A, 60 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： RF1S30P06
4-138
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -2V
Q
g(-10)
V
GS
= -10V
Q
g(TOT)
V
GS
= -20V
V
DS
-V
GS
I
g(REF)
0
0
RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S30P06SM 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RFG30P06 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RF1S40N10LESM 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP40N10LE 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S40N10SM 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S30P06SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S30P06SM9A 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S40N10LESM 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
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