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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RF1K49224 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET |
| 中文描述： | 3.5 A, 30 V, 0.132 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | RF1K49224 |
9-22
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORM
Test Circuits and Waveforms (N-Channel)
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Typical Performance Curves (P-Channel)
FIGURE 21. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 23. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
-1.5
-0.5
0
25
50
75
100
125
150
-1.0
-2.0
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
-3.0
-2.5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-1
10
0
10
2
0.001
10
0.1
1
10
-2
10
3
Z
θ
J
,
T
0.01
10
-4
10
-3
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
10
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
RF1K49224
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF1S22N10SM | 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFP22N10 | 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RF1S22N10SM | 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFP22N10 | 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RF1S23N06LESM | 23A, 60V, 0.065 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(23A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RF1K4922496 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
| RF1R-DC12V | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| RF1RE-DC12V | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| RF1S0CA100KJ | 制造商:Ohmite Mfg Co 功能描述: |
| RF1S0CA100RJ | 制造商:Ohmite Mfg Co 功能描述: |
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