參數(shù)資料
型號: RC28F128P33T85
廠商: NUMONYX
元件分類: PROM
英文描述: 8M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝: BGA-64
文件頁數(shù): 79/96頁
文件大?。?/td> 1378K
代理商: RC28F128P33T85
Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Datasheet
November 2007
80
Order Number: 314749-05
13.3
Device Geometry Definition
Table 38: Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
27h
1
“n” such that device size = 2n in number of bytes
27:
See table below
765
432
1
0
28h
2
x64
x32
x16
x8
28:
--01
x16
15
14
13
12
11
10
9
8
———
29:
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2n
2A:
--06
64
2B:
--00
2Ch
1
2C:
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
2D:
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
2E:
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2F:
30:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
31:
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
32:
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
33:
34:
35h
4
Reserved for future erase block region information
35:
36:
37:
38:
See table below
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
Number of erase block regions (x) within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in bulk
2. x specifies the number of device regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
Address
64-Mbit
–B
–T
–B
–T
–B
–T
27:
--17
--18
--19
28:
--01
29:
--00
2A:
--06
2B:
--00
2C:
--02
2D:
--03
--3E
--03
--7E
--03
--FE
2E:
--00
2F:
--80
--00
--80
--00
--80
--00
30:
--00
--02
--00
--02
--00
--02
31:
--3E
--03
--7E
--03
--FE
--03
32:
--00
33:
--00
--80
--00
--80
--00
--80
34:
--02
--00
--02
--00
--02
--00
35:
--00
36:
--00
37:
--00
38:
--00
128-Mbit
256-Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RC28F256P33T85A 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
RC28F160C3TC90 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
RC28F160C3BD70 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64
RC4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RM4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RC28F128P33T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
RC28F128P33TF60 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx?? P33-65nm Flash Memory
RC28F128P33TF60A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
RC28F128P3GB850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
RC28F128P3GT850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays