參數(shù)資料
型號(hào)： RC28F128P33T85
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝： BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 29/96頁(yè)
文件大?。?/td> 1378K
代理商： RC28F128P33T85
November 2007
Datasheet
Order Number: 314749-05
35
Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Notes:
1.
WAIT is driven per OE# assertion during synchronous array or non-array read, and can be configured to assert either
during or one data cycle before valid data.
2.
At the end of Word Line; the delay incurred when a burst access crosses a 16-word boundary and the starting address is
not 4-word boundary aligned. See
page 55 for more information
Note:
WAIT is driven per OE# assertion during synchronous array or non-array read. WAIT asserted during initial latency and
deasserted during valid data (RCR 10=0, WAIT asserted low).
Figure 19: Continuous Burst Read, showing an Output Delay Timing
Figure 20: Synchronous Burst-Mode Four-Word Read Timing
R305
R304
R4
R7
R312
R307
R15
R303
R102
R3
R106
R105
R101
R2
R304
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
y
A
Q0
Q1
Q2
Q3
R307
R10
R304
R305
R304
R4
R7
R17
R15
R9
R8
R303
R3
R106
R102
R105
R101
R2
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RC28F256P33T85A 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
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RC28F160C3BD70 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64
RC4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RM4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
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參數(shù)描述
RC28F128P33T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
RC28F128P33TF60 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx?? P33-65nm Flash Memory
RC28F128P33TF60A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
RC28F128P3GB850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
RC28F128P3GT850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
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