參數(shù)資料
型號(hào)： RC28F128P33T85
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝： BGA-64
文件頁數(shù)： 24/96頁
文件大小： 1378K
代理商： RC28F128P33T85
Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Datasheet
November 2007
30
Order Number: 314749-05
7.2
Capacitance
7.3
AC Read Specifications
Table 16: Capacitance
Symbol
Parameter
Signals
Min
Typ
Max
Unit
Condition
Note
CIN
Input Capacitance
Address, Data,
CE#, WE#, OE#,
RST#, CLK,
ADV#, WP#
26
7
pF
Typ temp = 25 °C,
Max temp = 85 °C,
VCC = (0 V - 3.6 V),
VCCQ = (0 V - 3.6 V),
Discrete silicon die
1,2,3
COUT
Output Capacitance
Data, WAIT
2
4
5
pF
Notes:
1.
Capacitance values are for a single die; for dual die, the capacitance values are doubled.
2.
Sampled, not 100% tested.
3.
Silicon die capacitance only, add 1 pF for discrete packages.
Table 17: AC Read Specifications - 130nm (Sheet 1 of 3)
Num
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
Asynchronous Specifications
R1
tAVAV
Read cycle time
85
-ns
-
256/512M
TSOP
95
ns
-
R2
tAVQV
Address to output valid
-
85
ns
-
256/512M
TSOP
95
ns
-
R3
tELQV
CE# low to output valid
-
85
ns
-
256/512M
TSOP
95
ns
-
R4
tGLQV
OE# low to output valid
-
25
ns
1,2
R5
tPHQV
RST# high to output valid
-
150
ns
1
R6
tELQX
CE# low to output in low-Z
0
-
ns
1,3
R7
tGLQX
OE# low to output in low-Z
0
-
ns
1,2,3
R8
tEHQZ
CE# high to output in high-Z
-
24
ns
1,3
R9
tGHQZ
OE# high to output in high-Z
-
24
ns
R10
tOH
Output hold from first occurring address, CE#, or OE#
change
0-
ns
R11
tEHEL
CE# pulse width high
20
-
ns
1
R12
tELTV
CE# low to WAIT valid
-
17
ns
R13
tEHTZ
CE# high to WAIT high-Z
-
20
ns
1,3
R15
tGLTV
OE# low to WAIT valid
-
17
ns
1
R16
tGLTX
OE# low to WAIT in low-Z
0
-
ns
1,3
R17
tGHTZ
OE# high to WAIT in high-Z
-
20
ns
Latching Specifications
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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RC28F128P3GB850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
RC28F128P3GT850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
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