參數(shù)資料
型號(hào): PMWD20XN
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
中文描述: 10400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝: PLASTIC PACKAGE-8
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 93K
代理商: PMWD20XN
9397 750 14721
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 26 April 2005
8 of 12
Philips Semiconductors
PMWD20XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
I
D
= 4 A; V
DD
= 10 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values
03ao97
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
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參數(shù)描述
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