參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD20XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 10400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC PACKAGE-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： PMWD20XN
9397 750 14721
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 26 April 2005
7 of 12
Philips Semiconductors
PMWD20XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 9.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
03al82
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
(V)
min
max
typ
V
GS(th)
T
j
(
°
C)
03al83
10
-6
1
0
-5
10
-4
10
-3
0
0.5
1
1.5
2
(A)
min
max
typ
V
GS
(V)
I
D
03ao96
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
03ao95
0
10
20
30
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
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