參數(shù)資料
型號： PMWD20XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 10400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC PACKAGE-8
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： PMWD20XN
9397 750 14721
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 26 April 2005
4 of 12
Philips Semiconductors
PMWD20XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
5.
Thermal characteristics
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-sp)
thermal resistance from junction to solder point
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
mounted on a printed-circuit
board; minimum footprint;
vertical in still air
Min
-
-
Typ
-
100
Max
30
-
Unit
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of pulse duration
03ap27
10
-2
10
-1
1
10
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-sp)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
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