參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD20XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 10400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC PACKAGE-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： PMWD20XN
9397 750 14721
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 26 April 2005
6 of 12
Philips Semiconductors
PMWD20XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
> I
D
×
R
DSon
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
03ao92
0
10
20
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
(V)
I
D
(A)
1.8
V
GS
(V) = 10
2.5
2
4.5
2.2
3
03ao94
0
10
20
30
0
1
2
3
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 25
°
C
150
°
C
03ao93
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
3
V
GS
(V) = 2.2
10
4.5
2.5
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
------------------------------
=
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PMWD26UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
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