參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD20XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 10400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC PACKAGE-8
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： PMWD20XN
1.
Product profile
1.1 General description
Dual common drain N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a
plastic package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
PMWD20XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
Rev. 02 — 26 April 2005
Product data sheet
I
Surface-mounted package
I
Extremely low threshold voltage
I
Low profile
I
Fast switching
I
Portable appliances
I
Battery management
I
V
DS
≤
20 V
I
P
tot
≤
4.2 W
I
I
D
≤
10.4 A
I
R
DSon
≤
24 m
Table 1:
Pin
1, 8
2, 3
4
5
6, 7
Pinning
Description
drain (D)
source1 (S1)
gate1 (G1)
gate2 (G2)
source2 (S2)
Simplified outline
Symbol
SOT530-1 (TSSOP8)
1
4
8
5
mbl600
D
D
G1
S1
G2
S2
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PMWD26UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
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