參數(shù)資料
型號： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場效應管
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 244K
代理商： PMWD19UN
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
9 of 12
9397 750 10833
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
6.
Package outline
Fig 14. SOT530-1 (TSSOP8).
UNIT
A1
A
max.
A2
A3
bp
L
HE
Lp
w
y
v
c
e
D
(1)
E
(2)
Z
(1)
θ
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.15
0.05
0.95
0.85
0.30
0.19
0.20
0.13
3.10
2.90
4.50
4.30
0.65
6.50
6.30
0.70
0.35
8
°
0
°
0.10
0.10
0.10
0.94
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Notes
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
0.70
0.50
SOT530-1
MO-153
99-12-27
00-02-24
w
M
bp
D
Z
e
0.25
1
4
8
5
θ
A
A2
A1
Lp
(A3)
detail X
L
HE
E
c
v
M
A
X
A
y
2.5
5 mm
0
scale
TSSOP8: plastic thin shrink small outline package; 8 leads; body width 4.4 mm
SOT530-1
1.10
pin 1 index
相關PDF資料
PDF描述
PMWD22XN Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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