參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 244K
代理商： PMWD19UN
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
8 of 12
9397 750 10833
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 5 A; V
DD
= 16 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values.
003aaa281
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD22XN Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PMWD20XN,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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