參數(shù)資料
型號： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場效應管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： PMWD19UN
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
7 of 12
9397 750 10833
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
03aj65
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
03aj64
10-6
10-5
10-4
10-3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VGS (V)
ID
(A)
min
typ
003aaa279
10
10-1
1
10
102
C
(pF)
102
103
104
Ciss
Coss
Crss
VDS (V)
003aaa280
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD (V)
IS
(A)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
相關PDF資料
PDF描述
PMWD22XN Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
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參數(shù)描述
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