參數(shù)資料
型號： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場效應管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： PMWD19UN
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
6 of 12
9397 750 10833
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
003aaa276
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
1.0 V
1.1 V
1.2 V
4.5 V
VGS = 1.3 V
003aaa277
0
2
4
6
8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS (V)
ID
(A)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa278
0
25
50
75
100
0
1
2
3
4
ID (A)
RDSon
(m
)
4.5 V
1.3 V
2.5 V
1.2 V
VGS = 1.8 V
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25
°
C
)
-----------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD22XN Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
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參數(shù)描述
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