參數(shù)資料
型號： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： PMWD19UN
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
3 of 12
9397 750 10833
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
Tsp (
°
C)
Pder
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa358
1
10
102
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
1 ms
tp = 10 μs
1 s
Limit RDSon = VDS/ID
10-1
10-1
10-2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD22XN Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
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參數(shù)描述
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