參數資料
型號： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場效應管
文件頁數： 2/12頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： PMWD19UN
Philips Semiconductors
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 20 December 2002
2 of 12
9397 750 10833
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
30
30
±
10
5.6
3.4
20
2.3
+150
+150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 4.5 V;
Figure 2
and
3
T
sp
= 100
°
C; V
GS
= 4.5 V;
Figure 2
T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
sp
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
sp
= 25
°
C
-
-
2
7
A
A
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PDF描述
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