參數(shù)資料
型號： PIC12F635T-E/SN
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
文件頁數(shù)： 67/196頁
文件大?。?/td> 3291K
代理商： PIC12F635T-E/SN
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2005 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41232B-page 157
PIC12F635/PIC16F636/639
15.6
DC Characteristics: PIC16F639-I (Industrial)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
Supply Voltage
2.0V
≤ VDD ≤ 3.6V
Param
No.
Sym
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
VDD
Note
D010
IDD
Supply Current(1,2,3)
—9
TBD
μA2.0
FOSC = 32.768 kHz
LP Oscillator mode
—18
TBD
μA3.0
D011
—
110
TBD
μA2.0
FOSC = 1 MHz
XT Oscillator mode
—190
TBD
μA3.0
D012
—
220
TBD
μA2.0
FOSC = 4 MHz
XT Oscillator mode
—370
TBD
μA3.0
D013
—
70
TBD
μA2.0
FOSC = 1 MHz
EC Oscillator mode
—140
TBD
μA3.0
D014
—
180
TBD
μA2.0
FOSC = 4 MHz
EC Oscillator mode
—320
TBD
μA3.0
D015
—
TBD
μA2.0
FOSC = 31 kHz
LFINTOSC mode
—TBD
TBD
μA3.0
D016
—
340
TBD
μA2.0
FOSC = 4 MHz
HFINTOSC mode
—500
TBD
μA3.0
D017
—
180
TBD
μA2.0
FOSC = 4 MHz
EXTRC mode
—320
TBD
μA3.0
D020
IPD
Power-down Base Current(4)
—
0.99
TBD
nA
2.0
WDT, BOD, Comparators,
VREF and T1OSC disabled
(excludes AFE)
—
1.2
TBD
nA
3.0
D021
ΔIWDT
—
0.3
TBD
μA2.0
WDT Current(3)
—1.8
TBD
μA3.0
D022A
ΔIBOD
—
58
TBD
μA
3.0
BOD Current(3)
D022B
ΔILVD
—
TBD
μA
2.0
PLVD Current
—TBD
TBD
μA3.0
D023
ΔICMP
—
3.3
TBD
μA
2.0
Comparator Current(3)
—6.1
TBD
μA3.0
D024
ΔIVREF
—58
TBD
μA2.0
CVREF Current(3)
—85
TBD
μA3.0
D025
ΔIT1OSC
—
4.0
TBD
μA
2.0
T1OSC Current(3)
—4.6
TBD
μA3.0
D026
IACT
Active Current of AFE only
(receiving signal)
1 LC Input Channel Signal
3 LC Input Channel Signals
—
10
—
16
μA
3.6
CS = VDD; Input = Continuous
Wave (CW);
Amplitude = 300 mVPP.
All channels enabled.
D027
ISTDBY
Standby Current of AFE only
(not receiving signal)
1 LC Input Channel Enabled
2 LC Input Channels Enabled
3 LC Input Channels Enabled
—
3
4
5
6
7
μΑ
μA
3.6
CS = VDD; ALERT = VDD
D028
ISLEEP
Sleep Current of AFE only
—
0.2
1
μA3.6
CS = VDD; ALERT = VDD
Legend:
TBD = To Be Determined
Data in ‘Typ’ column is at 3.0V, 25
°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance only and are not tested.
Note
1:
The test conditions for all IDD measurements in active operation mode are: OSC1 = external square wave, from rail-to-rail; all I/O pins tri-
stated, pulled to VDD; MCLR = VDD; WDT disabled. MCU only, Analog Front-End not included.
2:
The supply current is mainly a function of the operating voltage and frequency. Other factors, such as I/O pin loading and switching rate,
oscillator type, internal code execution pattern and temperature, also have an impact on the current consumption. MCU only, Analog
Front-End not included.
3:
The peripheral current is the sum of the base IDD or IPD and the additional current consumed when this peripheral is enabled. The
peripheral
Δ current can be determined by subtracting the base IDD or IPD current from this limit. Max values should be used when
calculating total current consumption.
4:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is measured with the part in Sleep
mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to VDD.
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PIC12F635TI/P 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:8/14-PIN FLASH-BASED, 8-BIT CMOS MICROCONTROLLERS WITH NANOWATT TECHNOLOGY
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