參數資料
型號： PIC12F635T-E/SN
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
文件頁數： 63/196頁
文件大?。?/td> 3291K
代理商： PIC12F635T-E/SN
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2005 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41232B-page 153
PIC12F635/PIC16F636/639
D020
IPD
Power-down Base
Current(4)
—
0.0009
TBD
μA
2.0
WDT, BOD, Comparators,
VREF and T1OSC disabled
—
0.0012
TBD
μA3.0
—
0.0029
TBD
μA5.0
D021
ΔIWDT
—
0.3
TBD
μA
2.0
WDT Current(3)
—1.8
TBD
μA3.0
—8.4
TBD
μA5.0
D022A
ΔIBOD
—
58
TBD
μA
3.0
BOD Current(3)
—109
TBD
μA5.0
D022B
ΔILVD
—
TBD
μA2.0
PLVD Current
—TBD
TBD
μA3.0
—TBD
TBD
μA5.0
D023
ΔICMP
—
3.3
TBD
μA
2.0
Comparator Current(3)
—6.1
TBD
μA3.0
—11.5
TBD
μA5.0
D024
ΔIVREF
—58
TBD
μA2.0
CVREF Current(3)
—85
TBD
μA3.0
—138
TBD
μA5.0
D025
ΔIT1OSC
—
4.0
TBD
μA
2.0
T1OSC Current(3)
—4.6
TBD
μA3.0
—6.0
TBD
μA5.0
15.3
DC Characteristics: PIC12F635/PIC16F636-E (Extended) (Continued)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40
°C ≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
VDD
Note
Legend:
TBD = To Be Determined
Data in ‘Typ’ column is at 5.0V, 25
°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance only
and are not tested.
Note 1:
The test conditions for all IDD measurements in Active Operation mode are: OSC1 = external square wave, from
rail-to-rail; all I/O pins tri-stated, pulled to VDD; MCLR = VDD; WDT disabled.
2:
The supply current is mainly a function of the operating voltage and frequency. Other factors, such as I/O pin
loading and switching rate, oscillator type, internal code execution pattern and temperature, also have an impact
on the current consumption.
3:
The peripheral current is the sum of the base IDD or IPD and the additional current consumed when this periph-
eral is enabled. The peripheral
Δ current can be determined by subtracting the base IDD or IPD current from this
limit. Max values should be used when calculating total current consumption.
4:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in Sleep mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to VDD.
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