參數資料
型號： PHP32N06L
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數： 8/13頁
文件大?。?/td> 274K
代理商： PHP32N06L
Philips Semiconductors
PHP32N06LT; PHB32N06LT
N-channel enhancement mode field effect transistor
Product data
Rev. 01 — 06 November 2001
8 of 13
9397 750 09024
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 20 A
Fig 13. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
03ah52
0
10
20
30
40
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03ah54
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 20 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 44 V
V
DD
= 14 V
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PDF描述
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參數描述
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