參數(shù)資料
型號(hào)： PHP32N06L
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field effect transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： PHP32N06L
Philips Semiconductors
PHP32N06LT; PHB32N06LT
N-channel enhancement mode field effect transistor
Product data
Rev. 01 — 06 November 2001
3 of 13
9397 750 09024
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
amb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
P
der
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ah48
1
10
102
103
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
t
p
= 10 μs
100 μs
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PDF描述
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