參數(shù)資料
型號(hào)： PHP32N06L
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field effect transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： PHP32N06L
PHP32N06LT; PHB32N06LT
N-channel enhancement mode field effect transistor
Rev. 01 — 06 November 2001
Product data
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB)
PHB32N06LT in SOT404 (D
2
-PAK).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Logic level compatible.
3.
Applications
I
General purpose switching
I
Switched mode power supplies.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT78 (TO-220AB), SOT404 (D
2
-PAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
mounting base;
connected to drain (d)
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP32N06LT N-channel enhancement mode field effect transistor
PHP36N06E PowerMOS transistor
PHP3N20E PowerMOS transistor
PHP3N20L PowerMOS transistor Logic level FET
PHP45N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP32N06LT 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP32N06LT,127 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP33N10 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
PHP33N10/B 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT
PHP33NQ20T 功能描述:MOSFET TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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