參數(shù)資料
型號(hào)： PHP45N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 45 A, 25 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： PHP45N03LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP45N03LT
FEATURES
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
V
DSS
= 30 V
’Trench’
technology
Very low on-state resistance
Fast switching
Stable off-state characteristics
High thermal cycling performance
Low thermal resistance
I
D
= 45 A
R
DS(ON)
≤
24 m
(V
GS
= 5 V)
R
DS(ON)
≤
21 m
(V
GS
= 10 V)
GENERAL DESCRIPTION
PINNING
SOT78 (TO220AB)
N-channel
logic
transistor in a plastic envelope
using ’
trench
’ technology. The
device
has
very
resistance. It is intended for use in
dc to dc converters and general
purpose switching applications.
enhancement
field-effect
mode
power
PIN
DESCRIPTION
level
1
gate
low
on-state
2
drain
3
source
tab
drain
ThePHP45N03LTissuppliedinthe
SOT78 (TO220AB) conventional
leaded package.
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
, T
j
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
30
30
15
45
36
180
86
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
-
TYP.
-
MAX.
1.75
UNIT
K/W
R
th j-a
in free air
60
-
K/W
d
g
s
1 2 3
tab
November 1997
1
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP45N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP45NQ15T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP47NQ10T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP4N50E PowerMOS transistor
PHP4ND40E PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP45N03LTA 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP45N03LTA,127 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHP45N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP45NQ10T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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