參數(shù)資料
型號: PHN103
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述: 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝: PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大小: 76K
代理商: PHN103
1997 Jun 20
9
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN103
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage; typical values.
V
GSth
at V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
100
1.1
0.9
0.6
0.7
1
0.8
50
150
0
50
100
MGG338
Tj (
°
C)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-state resistance; typical values.
(1) R
DSon
at V
GS
= 10 V; I
D
= 5.5 A.
(2) R
DSon
at V
GS
= 4.5 V; I
D
= 2.75 A.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
100
1.2
0.8
0.4
1.4
1
0.6
50
150
0
(1)
(2)
50
100
MGG339
Tj (
°
C)
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