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參數(shù)資料
| 型號： | PHN103 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | PHN103 |
1997 Jun 20
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN103
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
0
50
100
150
MGG329
6
2
0
4
Ts (
°
C)
δ
= 0.01; T
s
= 80
°
C.
(1) R
DSon
limitation.
Fig.3 SOAR.
handbook, halfpage
2
1
10
10
1
MGG330
10
1
1
10
10
2
VDS (V)
ID
(A)
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
DC
100 ms
10 ms
(1)
tp =
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN110 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PHN110 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| PHN110T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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