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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHD24N03 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | PHD24N03 |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHD24N03LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); parameter T
j
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
PHP24N03LT
Qg, Gate charge (nC)
VGS, Gate-Source voltage (Volts)
VDD = 15 V
ID = 24 A
Tj = 25 C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
PHP24N03LT
Source-Drain voltage, VSDS (V)
Source-Drain diode current, IF(A)
VGS = 0 V
Tj = 25 C
175 C
December 1999
5
Rev 1.100
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