參數(shù)資料
型號(hào)： PHD18NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： PHD18NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP18NQ10T, PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 18A
Tj = 25 C
VDD = 20 V
VDD = 80 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.000
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PDF描述
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PHD20N06T118 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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