參數(shù)資料
型號(hào)： PHD18NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： PHD18NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP18NQ10T, PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.20. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
August 1999
11
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
PHD18NQ10T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD20N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHD20N06T /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD20N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD20N06T118 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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