參數(shù)資料
型號(hào)： PHD18NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： PHD18NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP18NQ10T, PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
18
A
-
-
72
A
I
F
= 18 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 18 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.92
55
135
1.2
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.000
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PDF描述
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PHD20N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHD20N06T /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD20N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD20N06T118 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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