參數(shù)資料
型號： PHD22NQ20T-01
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： N溝道TrenchMOS？？標準水平場效應管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHD22NQ20T-01
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 08 March 2004
Product data
M3D300
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT428 package.
I
Low on-state resistance
I
Fast switching.
I
DC-to-DC converters
I
General purpose switching.
I
V
DS
≤
200 V
I
P
tot
≤
150 W
I
I
D
≤
21.1 A
I
R
DSon
≤
120 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
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PDF描述
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