參數(shù)資料
型號： PHD14NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： PHD14NQ20T
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
5 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
5.
Characteristics
Table 4:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Static characteristics
V
(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
D
= 250
μ
A; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
=
55
°
C
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
;
Figure 9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
T
j
=
55
°
C
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
V
GS
=
±
10 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; I
D
= 7 A;
Figure 7
and
8
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
200
178
-
-
-
-
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
2
1
-
3
-
-
4
-
6
V
V
V
I
DSS
drain-source leakage current
-
-
-
0.05
-
10
10
500
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
R
DSon
gate-source leakage current
drain-source on-state resistance
-
-
150
-
230
633
m
m
Dynamic characteristics
g
fs
forward transconductance
V
DS
= 25 V; I
D
= 7 A;
Figure 14
I
D
= 14 A; V
DD
= 160 V;
V
GS
= 10 V;
Figure 13
6
12.1
-
S
Q
g(tot)
Q
gs
Q
gd
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Source-drain diode
V
SD
total gate charge
gate-source charge
gate-drain (Miller) charge
input capacitance
output capacitance
reverse transfer capacitance
turn-on delay time
rise time
turn-off delay time
fall time
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
38
4
13.3
1500
128
60
25
40
83
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
f = 1 MHz;
Figure 11
V
DD
= 30 V; R
D
= 10
;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
;
R
gen
= 50
source-drain (diode forward)
voltage
reverse recovery time
recovered charge
I
S
= 14 A; V
GS
= 0 V;
Figure 12
I
S
= 14 A;
dI
S
/dt =
100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
1.0
1.5
V
t
rr
Q
r
-
-
135
690
-
-
ns
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHB152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHB160N03T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD14NQ20T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
PHD16N03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT,118 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD16N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
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