參數(shù)資料
型號： PHD14NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： PHD14NQ20T
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
4 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
Min Typ
-
Max
1.2
Unit
K/W
-
vertical in still air; SOT78 package
SOT404 and SOT428 packages;
SOT404 minimum footprint; mounted on
a PCB
-
-
60
50
-
-
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
10
1
10-1
10-2
Zth (j-mb)
(K/W)
1
10
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
tp (s)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.02
δ
= 0.05
single pulse
003aaa220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP14NQ20T TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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PHD16N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
PHD16N03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT,118 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD16N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
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