參數(shù)資料
型號： PHD14NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 269K
代理商： PHD14NQ20T
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Rev. 03 — 11 March 2002
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)
PHB14NQ20T in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 packages.
I
Low on-state resistance
I
Fast switching
I
DC to DC converters
I
General purpose switching
I
V
DS
= 200 V
I
R
DSon
≤
230 m
I
I
D
= 14 A
I
P
D
= 125 W
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, SOT404, SOT428, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base,
connected to
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHB152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHB160N03T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD14NQ20T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
PHD16N03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT,118 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD16N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
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