參數(shù)資料
型號： PHB160N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： PHB160N03T
PHB160N03T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 13 September 2000
Product specification
c
M3D166
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PHB160N03T in SOT404 (D
2-
PAK).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Very low on-state resistance.
3.
Applications
I
DC to DC converters
I
Switched-mode power supplies
I
General purpose switch.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT404 (D
2
-PAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT404 (D
2
-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
connected to drain (d)
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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