參數(shù)資料
型號(hào)： PHD14NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大小： 269K
代理商： PHD14NQ20T
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
2 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
T
j
= 25 to 175
o
C
T
j
= 25 to 175
o
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
Max
200
200
±
20
Unit
V
V
V
V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 25
°
C
T
mb
= 100
°
C
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
-
-
-
14
10
56
A
A
A
I
DM
peak drain current
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
I
SM
Avalanche ruggedness
E
DS(ALS)
non-repetitive avalanche energy
I
DS(ALM)
peak non-repetitive avalanche current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
-
55
55
125
+175
+175
W
°
C
°
C
source (diode forward) current (DC)
peak source (diode forward) current
T
mb
= 25
°
C
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
-
-
14
56
A
A
unclamped inductive load; I
D
= 14 A;
t
p
= 20
μ
s; V
DD
≤
25 V; R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V; starting T
j
= 25
°
C;
Figure 15
-
-
70
14
mJ
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHB152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHB160N03T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD14NQ20T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
PHD16N03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT,118 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD16N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
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