參數(shù)資料
型號(hào)： PHC20512
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Complementary enhancement mode MOS transistors
中文描述： 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 11/20頁(yè)
文件大小： 158K
代理商： PHC20512
1997 Oct 22
11
Philips Semiconductors
Product specification
Complementary enhancement mode
MOS transistors
PHC20512
Fig.16 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; N-channel typical
values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(2) T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(3) T
amb
=
65
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
IS
(A)
0
0.4
0.8
1.2
0
12
8
4
MGG347
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
Fig.17 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; P-channel typical
values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(2) T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(3) T
amb
=
65
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
(A)
0
0.4
0.8
1.2
0
8
6
2
4
MGG356
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
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