參數(shù)資料
型號： PHC20512
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementary enhancement mode MOS transistors
中文描述： 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 10/20頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： PHC20512
1997 Oct 22
10
Philips Semiconductors
Product specification
Complementary enhancement mode
MOS transistors
PHC20512
Fig.12 Transfer characteristic; N-channel
typical values.
V
DS
= 10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
0
2
4
6
MGG345
20
0
10
VGS (V)
ID
(A)
V
DS
=
10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
2
4
6
MGG354
8
12
0
4
VGS (V)
Fig.13 Transfer characteristic; P-channel
typical values.
Fig.14 Gate-source voltage and drain-source
voltage as a function of total gate charge;
N-channel typical values.
handbook, halfpage
V
(V)
0
4
16
12
4
0
8
8
12
MGG346
(1)
(2)
QG (nC)
V
DD
= 12.5 V; I
D
= 3.2 A; T
amb
= 25
°
C.
(1) V
DS
.
(2) V
GS.
Fig.15 Gate-source voltage and drain-source
voltage as a function of total gate charge;
P-channel typical values.
handbook, halfpage
VDS, VGS
(V)
0
4
16
12
4
0
8
8
12
MGG355
(1)
(2)
QG (nC)
V
DD
=
12.5 V; I
D
=
2 A; T
amb
= 25
°
C.
(1) V
DS
.
(2) V
GS.
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