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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PH3230 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 50 A, 30 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | PH3230 |
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Philips Semiconductors
PH3230
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 03 — 25 June 2003
4 of 13
9397 750 10949
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 4.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03ag78
1
10
10
2
10
3
10
-1
1
10
10
2
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
Limit RDSon = VDS / ID
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PH7030L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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