參數(shù)資料
型號(hào)： PH3830L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 98 A, 30 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： PH3830L
PH3830L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 03 — 2 March 2004
Product data
M3D748
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Low thermal resistance
I
Logic level gate drive
I
SO8 equivalent area footprint
I
Low on-state resistance.
I
DC-to-DC converters
I
Portable appliances
I
Switched-mode power supplies
I
Notebook computers.
I
V
DS
≤
30 V
I
P
tot
≤
62.5 W
I
I
D
≤
98 A
I
R
DSon
≤
3.8 m
Table 1:
Pin
Pinning - SOT669 (LFPAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1,2,3
source (s)
SOT669 (LFPAK)
4
gate (g)
mb
mounting base;
connected to drain (d)
1
Top view
MBL286
2
3
mb
4
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH3855L N-channel TrenchMOS logic level FET
PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET
PH6325L N-channel TrenchMOS logic level FET
PH7030L N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB100N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH3830L,115 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH3830L 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK
PH3830L115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 98A 4-SOT-669
PH3855L 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PH3855L T/R 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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