參數(shù)資料
型號： PBSS2515E,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 120K
代理商： PBSS2515E,115
PBSS2515E_2
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 April 2009
6 of 12
NXP Semiconductors
PBSS2515E
15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
VCE =2V
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Tamb =25 °C
Fig 4.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 5.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
VCE =2V
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 100 °C
IC/IB =20
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 6.
Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 7.
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aaa364
400
200
600
800
hFE
0
IC (mA)
101
103
102
110
(2)
(1)
(3)
VCE (V)
05
4
23
1
006aaa370
0.4
0.8
1.2
IC
(A)
0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
IB = 5.0 mA
006aaa365
500
700
300
900
1100
VBE
(mV)
100
IC (mA)
101
103
102
110
(1)
(2)
(3)
006aaa368
IC (mA)
101
103
102
110
0.5
0.9
1.3
VBEsat
(V)
0.1
(2)
(1)
(3)
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PDF描述
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