參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS2515E,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： PBSS2515E,115
PBSS2515E_2
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 April 2009
10 of 12
NXP Semiconductors
PBSS2515E
15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
12. Revision history
Table 9.
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
PBSS2515E_2
20090421
Product data sheet
-
PBSS2515E_1
Modications:
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Table 7 “Characteristics”: switching times added
Figure 8 and 9: amended
PBSS2515E_1
20050418
Product data sheet
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS2515M,315 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
PBSS2515VPN,115 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 300 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT666 (SS-Mini); Container: Tape reel smd
PBSS2515VS,115 15 V low VCEsat NPN double transistor - Complement: PBSS3515VS ; I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: 2 x NPN ; Ptot max: 300 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT666 (SS-Mini); Container: Tape reel smd
PBSS2515YPN,115 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 430 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT363 (SC-88); Container: Tape reel smd
PBSS2540E,115 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
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參數(shù)描述
PBSS2515F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-490 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 0.5A SOT490,PBSS2515F
PBSS2515F,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS2515M 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 0.5A SOT883,PBSS2515M
PBSS2515M T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS2515M,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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