參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS2515E,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 120K
代理商： PBSS2515E,115
PBSS2515E_2
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 April 2009
7 of 12
NXP Semiconductors
PBSS2515E
15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
IC/IB =20
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Tamb =25 °C
(1) IC/IB = 100
(2) IC/IB =50
(3) IC/IB =10
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
IC/IB =20
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Tamb =25 °C
(1) IC/IB = 100
(2) IC/IB =50
(3) IC/IB =10
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aaa366
101
102
1
VCEsat
(V)
103
IC (mA)
101
103
102
110
(1)
(2)
(3)
006aaa367
101
102
1
VCEsat
(V)
103
IC (mA)
101
103
102
110
(1)
(2)
(3)
006aaa369
10
1
102
RCEsat
(
)
101
IC (mA)
101
103
102
110
(1)
(2)
(3)
006aaa371
IC (mA)
101
103
102
110
1
10
102
103
RCEsat
(
)
101
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
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