參數(shù)資料
型號(hào)： P0120002P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 25萬(wàn)千瓦GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無(wú)鉛型）
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
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代理商： P0120002P
Typical Characteristics
Technical Note
P0120002P
250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
T
Power Derating Curve
Transfer Curve
3
2
1
0
0
50
100
Tc (
°C)
150
200
D
400
300
200
100
00
2
4
6
Vds (V)
Vgs=0V
-0.5V
-1.0V
-1.5V
-2.0V
S-parameters (Typical Data)
Tc=25°C, Vds=6V
Ids=100mA,
Common Source, Zo=50
(Calibrated to device leads)
0
1
10.0
-
5
5.0
2
3
-
4
0
0
0
0
0
0
S11
S22
1.2GHz
1.2GHz
2.4GHz
2.4GHz
1
-
1
-
-
20
-
30
4.0
-02
0
-04
-.
0
-
-180
1.2GHz
S21
1.2GHz
2.4GHz
0.04
9
-
S12
0.02
0.06
0
0
2.0
4.0
6.0
S
Scale for |S12|
2.4GHz
0
45
13
-15
-4
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
-2-
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120003P 800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120004P 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P0120003P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120004P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
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