參數(shù)資料
型號(hào)： NTLJF4156N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET and Schottky Diode(功率MOSFET和肖特基二極管)
中文描述： 功率MOSFET和肖特基二極管（功率MOSFET的和肖特基二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 99K
代理商： NTLJF4156N
NTLJF4156N
http://onsemi.com
7
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Figure 13. Typical Forward Voltage
Figure 14. Maximum Forward Voltage
Figure 15. Typical Reverse Current
Figure 16. Maximum Reverse Current
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0.1
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100E9
IF
I
F
I
R
0.6
0.8
10
20
0.1
0.2
0.4
30
,
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 55
°
C
10E6
100E6
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
1.0E3
10E3
1.0E+0
,
I
R
0.9
0.7
0.3
0.5
V
F
, MAXIMUM FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0.1
0.6
0.8
0.1
0.2
0.4
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
0.9
0.7
0.3
0.5
100E3
1.0E6
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100E9
10
20
30
10E6
100E6
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
1.0E3
10E3
1.0E+0
100E3
1.0E6
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NTLJF4156NT1G
WDFN6
(PbFree)
3000 / Tape & Reel
NTLJF4156NTAG
WDFN6
(PbFree)
3000 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NTLJS1102PTBG 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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