參數(shù)資料
型號(hào): NTLJF4156N
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Power MOSFET and Schottky Diode(功率MOSFET和肖特基二極管)
中文描述: 功率MOSFET和肖特基二極管(功率MOSFET的和肖特基二極管)
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 99K
代理商: NTLJF4156N
NTLJF4156N
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (S)
1
1000
0.1
0.000001
0.2
0.1
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
100
1000
10
0.1
0.001
0.0001
100
10
1
0.01
0.00001
E
T
*See Note 2 on Page 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTMD2C02R2 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
NTMFS4122N 30V,23A,Single N Channel,SO 8 Flat Lead Power MOSFET(30V,23A,N溝道功率MOSFET)
NTMFS4744N Power MOSFET 30V, 53A, Single N(53A, 30V功率MOSFET)
NTMFS4839N Power MOSFET(功率MOSFET)
NTMFS4838N Power MOSFET(功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTLJF4156NT1G 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTLJF4156NTAG 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTLJS1102P 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −8 V, −8.1 A, COOL Single P−Channel, 2x2 mm, WDFN package
NTLJS1102PTAG 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTLJS1102PTBG 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube